Принимая температуры в плоскости конденсации ti
(i
= 1, 2, 3, 0) за точку росы, по табл. В.1 и В.2 Приложения В находят парциальные давления насыщенного водяного пара в плоскости конденсации: Е1
, Е2
, Е3и Е0
.
Среднее за годовой период парциальное давление насыщенного водяного пара в плоскости возможной конденсации вычисляется по формуле
Е
= (
Е1
·
z
1
+ Е2·
z
2
+
Е3
·
z
3
)
. (4.3)
Макетирование составной линейчатой поверхности на основе геликоида
Макет (фр. maquette — масштабная модель) — модель объекта в уменьшенном масштабе или в натуральную величину, лишённая функциональности представляемого объекта. Обычно макет изгота ...
Защита от прикосновения
Защита от прикосновения к токоведущим частям установок. В электроустановках напряжением до 1000 В применение изолированных проводов уже обеспечивает достаточную защиту от напряжен ...